TRANSISTOR
Jenis, Binaan
& Simbol
- Terdapat 2 jenis transistor dwi kutub iaitu
NPN dan PNP.
Ciri-ciri transistor dwi kutub
- Lapisan tapak (B) adalah nipis iaitu < 1µm dan mempunyai arus dopan yang
rendah.
- Lapisan pemungut (C) dan pemancar (E) adalah
drp jenis yang sama. (N) atau (P).
- Terdapat 2 simpang iaitu simpang
tapak-pemancar (B-E) dan tapak-pemungut (C-B)
Tatarajah Transistor
- Kaedah sambungan transistor pada kendalian tertentu.
- Terdapat 3 jenis
iaitu pengeluar sepunya, pemungut sepunya dan tapak sepunya.
Ciri-ciri transistor dwi kutub
- Lapisan tapak (B) adalah nipis iaitu < 1µm dan mempunyai arus dopan yang
rendah.
- Lapisan pemungut (C) dan pemancar (E) adalah
drp jenis yang sama. (N) atau (P).
- Terdapat 2 simpang iaitu simpang
tapak-pemancar (B-E) dan tapak-pemungut (C-B)
Tapak Sepunya Pemancar Sepunya Pemungut Sepunya
Kendalian Transistor
-
Transistor akan
mengalirkan arus apabila pincang yang betul.
-
B
– E dipincang depan ; C-E dipincang balikan.
-
Bila
S1 ditutup, simpang PN tapak-pemancar dipincang depan dan simpang PN
pemungut-tapak dipincang balikan
-
Elektron
meninggalkan pemancar dan memasuki tapak, IE terhasil.
-
Lapisan
tapak dibina sgt nipis dan memp. aras dopan yg rendah, hanya sedikit elektron
tersuntik bergabung dgn lubang
-
lebihan
elektron yg tidak bergabung. Akan ditarik oleh kutub +ve Vcc
-
Bilangan
elektron yg sgt banyak membentuk Ic.
-
Merujuk
kepada Hukum Kirchoff Arus, arus yang mengalir dalam transistor ialah:
IE = IB + IC
-
Gandaan Arus ( hFE atau β ) =
IC/ IB ;
nilai β berada antara 50 hingga 300
-
Nisbah Arus pemungut kepada arus pemancar α = IC/
IE ; nilai α biasanya kurang dari 1.
Kendalian Transistor Dalam Tatarajah Pemancar
Sepunya
-
Boleh
dibahagikan kepada 3 keadaan iaitu
-
Potong (BE dan CB ; pincang balikan)
-
Tepu
( BE dan CB ; pincang depan)
-
Aktif
( BE – pincang depan ; CB – pincang balikan )
-
Untuk
berfungsi sbg penguat, titik kendalian transistor mesti dalam keadaan aktif
TOPIK 9 TRANSISTOR DWI-
TOPIK 9
Pincangan Arus Terus (AT)
-
2
tujuan pincangan AT ialah untuk memastikan titik kendalian;
- berada dlm kaw. aktif ciri lengkung I-V
keluaran
- berada dlm kaw selamat – tidak melebihi kadar
maksimum transistor
Penggunaan Transistor
-
Penguat
Isyarat- menguatkan isyarat AU
-
Suis
( suis kawalan, suis berdigit )- dipacu
agar berada pd takat tepu & potong
-
Penguat
Kuasa- beri isyarat voltan dan arus yg
lebih tinggi kpd beban berintangan rendah tetapi mempunyai kuasa tinggi.
DWI-KUTU
Formula
Penting :
a) Gandaan
Arus, hFE ( b )
b = IC / IB
; b = /(1+b)
|
b) Alfa,
= IC/IE ; = b/(
1- )
|
Arus Tapak, IB
|
   IB
= VRB = VCC
- VBE IB = IC IB = IE - IC
RB RB b
|
Arus Pemungut, IC
|
 IC = VRC IC = b.IB
IC = α .IE IC = IE – IB
RC
|
Arus Pengeluar,
IE
|
IE =
IB + IC IE = IC /
|
Voltan Bekalan, VCC
|
Sumber bekalan
|
Voltan Tapak-Pengeluar, VBE
|
Silikon (Si) = 0.7V Germanium (Ge) = 0.3V
|
Voltan RB,
VRB
Had arus IB
|
VB = IB . RB VB
= VCC - VBE
|
Voltan RC, VRC
Had arus IC
|
VC = VRC = IC . RC VC = VCC - VCE
|
Voltan Pemungut-Pengeluar, VCE
|
VC =
VCE = VCC - VRC = VCC - (IC . RC)
|
Garis Beban
|
Takat
Tepu Takat
Potong
 IC (sat) = VCC VCE (off) = VCC
RC
|
Formula Penting :
Arus Tapak, IB
|
IB = IC IB = IE - IC IB = IE
.
b IB sangat
kecil boleh dibaikan 1 +b
|
Arus Pemungut, IC
|
IC = VRC IC = b.IB IC
= α .IE IC
= IE – IB
RC IC ≈ IE
|
Arus Pengeluar, IE
|
IE = IB + IC IE = IC IE = VRE IE ≈ IC
α RE
|
Voltan Bekalan, VCC
|
Sumber bekalan
|
Voltan Tapak-Pengeluar, VBE
|
Silikon (Si) = 0.7V Germanium (Ge) = 0.3V
|
Voltan R1, VR1
Had
arus IB
|
VR1 = R1 x VCC
R1 + R2
|
Voltan R2, VR2 =
VB Voltan tapak
|
VB = R2 x VCC VB = VE + VBE
R1 + R2
|
Voltan Pengeluar, VE = VRE
|
VE = IE . RE VE = VB
-
VBE
|
Voltan RC, VRC
|
VRC = IC . RC VRC = VCC - VCE - VE
= VCC - VCE - (IE . RE)
|
Voltan Pemungut, VC
|
VC = VCC - VRC
= VCC - (IC . RC)
|
Voltan Pemungut-Pengeluar, VCE
|
VCE = VCC - VRC - VE
= VCC - (IC . RC) - (IE . RE)
|
Garis
Beban
|
Takat Tepu
Takat Potong (Alihan)
IC (sat) = VCC VCE (off) = VCC
RC + RE
|
TRANSISTTB
